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硅光的下一代技術路線圖
作者 |發布日期 2023 年 06 月 13 日 17:28 | 分類 碳化硅SiC
摘要 在光通信發展的推動下，硅光子技術已發展成為主流技術。目前的技術已經使得集成光子器件從數千個激增到數百萬個，它們主要以數據中心通信收發器的形式出現，此外傳感和運算等許多令人興奮的應用領域的產品也指日可待。需要什么才能將硅光子器件的出貨量從數百萬增加到數十億？下一代硅光子技術會...  [詳內文]

30億投資，安世半導體封測廠擴建項目摘牌
作者 |發布日期 2023 年 06 月 13 日 17:22 | 分類 碳化硅SiC
昨日，安世半導體（中國）有限公司封測廠擴建項目成功摘牌。 據悉，項目總投資30億元，從事產業內容包括但不限于分立器件、模擬&邏輯ICs、功率MOSFETs。 圖片來源：拍信網正版圖庫 2022年10日，安世半導體與東莞市黃江鎮人民政府簽署了《安世半導體（中國）有限公司封...  [詳內文]

向8英寸進擊，拿下SiC的天王山
作者 |發布日期 2023 年 06 月 13 日 17:20 | 分類 碳化硅SiC
6月7日，平地一聲驚雷，一則合資建廠的消息震動整個SiC市場，三安光電和意法半導體兩位主角宣布，將斥資50億美元在重慶建立一座8英寸SiC襯底廠，根據意法半導體的估算，到2030年該廠將幫助意法半導體實現50億美元的SiC營收，作為對比，2022財年，Wolfspeed的營收為7...  [詳內文]

【會議預告】集邦咨詢：2023全球第三代半導體市場機遇與挑戰
作者 |發布日期 2023 年 06 月 12 日 17:29 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導體碳化硅和氮化鎵被視為后摩爾時代材料創新的關鍵角色。近年來，汽車、光伏儲能等應用帶動碳化硅市場迅速擴大，氮化鎵功率元件于消費電子市場率先放量，工業、汽車應用潛力巨大。 目前，全球能源技術革命已經開啟，并向材料領域滲透，第三代半導體將在實現碳達峰、碳中和的過程中發揮怎樣的...  [詳內文]

又一實驗室揭牌，瞄準化合物半導體EDA領域
作者 |發布日期 2023 年 06 月 12 日 17:28 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，九峰山-華大九天聯合實驗室“神舟實驗室”正式揭牌。該實驗室由九峰山實驗室和北京華大九天科技股份有限公司共同組建，由北京華大九天科技股份有限公司研發副總朱能勇、九峰山實驗室無線互聯首席專家吳暢共同擔任主任。 圖片來源：拍信網正版圖庫 “神舟實驗室”將針對化合物半導體EDA軟...  [詳內文]

聚焦芯片研發，上汽通用五菱與電科芯片簽署協議
作者 |發布日期 2023 年 06 月 12 日 17:27 | 分類 碳化硅SiC
近日，上汽通用五菱與電科芯片舉行戰略合作協議簽署儀式。 上汽通用五菱官方消息顯示，雙方將以此次為戰略合作協議簽約為契機，基于用戶使用場景，在芯片研發領域深入開展合作，以全面“2C”為導向，堅持走自主創新的道路，攜手助力芯片國產化，推動“一二五工程”項目成果實現新突破。 上汽通用五...  [詳內文]

【會議預告】芯聚能半導體：車規級功率半導體技術發展
作者 |發布日期 2023 年 06 月 12 日 15:54 | 分類 碳化硅SiC
在市場對節能減排和駕駛舒適性的更高要求下，新能源汽車逐步走向時代舞臺中央，車規級功率半導體需求隨之逐漸攀升。 SiC作為第三代半導體材料，具有比硅更優越的性能。不僅禁帶寬度較大，還兼具熱導率高、飽和電子漂移速率高、抗輻射性能強、熱穩定性和化學穩定性好等優良特性，成為了新能源汽車領...  [詳內文]

中電化合物半導體擴產項目預計9月投產
作者 |發布日期 2023 年 06 月 12 日 15:52 | 分類 碳化硅SiC
據寧波前灣新區發布消息，中電化合物半導體擴產項目計劃于今年9月完成廠房裝修并投產。 中電化合物成立于2019年，是由中國電子信息產業集團有限公司（央企）旗下華大半導體有限公司主導投資的一家致力于開發、生產寬禁帶半導體材料的高科技企業。 公司注冊資本4.7億，主要聚焦在大尺寸、高性...  [詳內文]

新能源車SiC-MOSFET發展分析
作者 |發布日期 2023 年 06 月 12 日 15:52 | 分類 碳化硅SiC
功率半導體包含功率集成電路和功率分離式組件。功率集成電路安裝在驅動電路板上，以發送信號控制功率組件/模塊進行開關。 功率組件是一種只用于電力轉換和控制的電子組件，分為二極管（整流和保護電路）、晶體管（負責開關）與閘流體（電路驅動）。其中晶體管是電能轉換損耗的主要來源，因此是功率組...  [詳內文]

揚杰科技寬禁帶半導體研發中心落地
作者 |發布日期 2023 年 06 月 12 日 15:50 | 分類 碳化硅SiC
6月6日，在東南大學建校121周年紀念日上，揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協議，組建“東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯合研發中心”。 基于此研發中心，雙方將在功率半導體領域（尤其是寬禁帶功率器件領域）進行深層次合作，開發世界級水平、具有自主知識產權的、符合市場與應用需求的功...  [詳內文]