晶升股份8英寸SiC設備已通過驗證

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 09 日 13:56 | 分類 企業

1月5日,晶升股份公布投資者關系活動記錄表,介紹了公司碳化硅(SiC)長晶設備的價格及研發進展。

據介紹,晶升股份8英寸SiC長晶設備目前進展順利,已通過了客戶處的批量驗證。價格方面,6英寸SiC長晶設備已大批量出貨,價格趨于穩定,相對較低;8英寸SiC長晶設備根據不同設計和配置,價格比6英寸設備高30%至50%左右。

圖源:晶升股份

襯底作為SiC產業鏈中價值量最高的一環,目前正在朝著8英寸的方向發展。而“兵馬未動,糧草先行”,設備企業也在不斷更新換代,8英寸SiC設備新動態頻傳。

晶盛機電于2023年6月宣布成功研發出具有國際先進水平的8英寸單片式SiC外延生長設備。據介紹,該設備可兼容6/8英寸SiC外延生產,在6英寸外延設備原有的溫度高精度閉環控制、工藝氣體精確分流控制等技術基礎上,解決了腔體設計中的溫場均勻性、流場均勻性等控制難題,實現了成熟穩定的8英寸碳化硅外延工藝。

特思迪8英寸SiC全自動減薄設備已投入市場、8英寸雙面拋光設備已通過工藝測試進入量產階段。2023年12月,特思迪完成B輪融資,所獲資金將進一步推動公司在技術突破、產能擴充、產品研發、產業布局、人才引進等關鍵環節的發展進程,加快8英寸SiC等半導體材料磨拋設備的國產化。

電科裝備在2023上海國際半導體展覽會上發布了最新研制的8英寸SiC外延設備。該設備有三個突破性的指標,分別是采用該設備生產的8英寸生長厚度均勻性小于1.5%、摻雜濃度均勻性小于4%、表面致命缺陷小于0.4個/c㎡。

納設智能在2023年8月宣布成功研制出8英寸SiC外延設備。該設備具備獨特反應腔室設計、可獨立控制的多區進氣方式以及智能的控制系統,將更好地提高外延片的均勻性,降低外延缺陷及生產中的耗材成本。(集邦化合物半導體 Winter整理)

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