新廠Q2投入量產,微矽電子在GaN、SiC領域發力

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 23 日 17:55 | 分類 企業

半導體封測廠微矽電子昨(22)日舉行上市前業績發表會,董事長張秉堂表示,公司布局多年的氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)第三代半導體測試、薄化及切割技術,預期今年將持續受惠于車用產業需求,推動公司營運向上成長,目前微矽電子在中國臺灣竹南新擴建的廠房有望在第2季投入量產。

微矽電子目前主要提供半導體測試、晶圓薄化與半導體封裝的整合性服務,并鎖定電源效率相關的功率元件與電源管理IC加工。此外,微矽電子表示,近年亦積極投入GaN與SiC的測試、薄化與切割技術,相關技術處于領先地位。

其中,微矽電子在竹南廠區擴建的新廠房,預計今年第1季將可望完工,第2季完成無塵室建置,同季就可投入量產,將全力搶占GaN、SiC等相關商機。

除了微矽電子,一些在化合物半導體布局的臺廠近期也有新動作。

圖片來源:拍信網正版圖庫

近期臺系企業齊發力

在SiC方面,1月11日,半導體材料廠商環球晶圓宣布,其已與一線大廠簽長期供料合約,并預估今年SiC晶圓產能在原先6000片/月的基礎上實現翻倍。此外,環球晶圓還表示,公司今年在SiC襯底的重點工作是完成晶圓從6吋到8吋的轉化,已陸續送樣給客戶。據介紹,環球晶圓在GaN領域也有布局,但營收僅為SiC的十分之一。

再看GaN領域,GaN廠商鴻鎵科技在本月初表示,其提供的65W GaN快充,通過了日本PSE認證,公司一舉成為中國臺灣首家打入要求嚴格的日商供應鏈的公司。而同為GaN廠商的偉詮電子作為Transphorm的長期合作伙伴,隨著Transphorm被日本IDM大廠瑞薩電子收購,也可望獲得打入瑞薩供應鏈的機會。

除了SiC和GaN,中國臺灣地區在第四代半導體材料氧化鎵(Ga2O3)領域亦有新進展。1月18日,臺灣中山大學晶體研究中心與臺灣應用晶體公司及其所屬集團簽訂“大尺寸Ga2O3晶體生長”項目合作協議,企業出資5000萬新臺幣(折合人民幣約1150萬元)投入Ga2O3單晶研究,目標三年內成功生產6吋Ga2O3單晶。

據悉,中國臺灣中山大學晶體研究中心去年已成功生長出直徑6吋的SiC晶體,技術轉移中國臺灣應用晶體公司及其所屬集團,讓其有信心與中國臺灣中山大學繼續合作; 此外,研究中心過去也曾生長出直徑40mm的Ga2O3單晶,未來三年將努力實現技術突破。

小結

近年來,受全球“雙碳政策”以及汽車電動化趨勢的影響,以SiC和GaN還有Ga2O3為代表的化合物半導體開始頻繁出圈。中國臺灣是世界半導體領域極具影響力的地區之一,臺系廠商也感受到了風向變動,并相繼開展動作。但在化合物半導體領域,不乏重注押寶的玩家,臺系廠商在這一領域能否擁有更多的話語權,仍需時間來佐證。(文:集邦化合物半導體Morty)

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