湖南三安二期工程一季度即將貫通

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 24 日 17:21 | 分類 企業

總投資160億元的湖南三安半導體基地一期項目已于2021年6月投產,將打造國內首條、全球第三條碳化硅(SiC)垂直整合產業鏈,可月產3萬片6英寸SiC襯底。

據悉,湖南三安半導體基地項目致力于建設具有自主知識產權的以SiC等寬禁帶材料為主的第三代半導體全產業鏈生產與研發基地,項目投產后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機車、航空航天和5G通訊等。

2022年7月,湖南三安半導體基地項目二期開建,總投資為80億元,全面達產后將實現50萬片6英寸SiC襯底的年產能。近日,二期工程也迎來了新進展。

source:湖南三安半導體

1月23日,三安光電在互動平臺表示,公司全資子公司湖南三安SiC產能正逐步釋放,湖南三安半導體基地二期工程目前已進入廠房裝修后期階段,2024年一季度即將貫通。湖南三安正就已簽署的長期采購協議著力推進產品交付,并持續跟進數家新能源汽車客戶的合作意向。公司SiC襯底質量方面能夠滿足客戶要求,并按期交付給客戶使用。

在新能源汽車領域,SiC器件需求日益增長,三安光電SiC器件也正在加速上車。據了解,三安光電SiC MOSFET代工業務已與新能源汽車龍頭廠商及配套企業展開合作,與某知名車企簽署芯片戰略采購意向協議總金額達38億元,另一重要客戶訂單金額19億元。該公司2022年年報顯示,已簽署的SiC MOSFET長期采購協議總金額超70億元。

產品方面,三安光電車規級1200V 16mΩ MOSFET芯片已在戰略客戶處進行模塊驗證,預計于2024年正式上車量產。

合作方面,全球半導體巨頭意法半導體和三安光電于2023年6月共同宣布,雙方將在重慶建立一個新的8英寸SiC器件合資制造廠。按照計劃,合資廠將于2025年第四季度投產,預計在2028年全面建成。該合資廠全部建設總額預計約32億美元(約合229.6億人民幣)。

與此同時,三安光電首席執行官Simon Lin表示,將利用自研SiC襯底工藝,單獨新建造和運營一個8英寸SiC襯底制造廠,以滿足上述合資廠的襯底需求。

有消息顯示,湖南三安半導體基地項目二期會在8英寸工藝方面進行研發投入,并在上述三安光電新建的8英寸SiC襯底廠規模使用。

隨著湖南三安半導體基地項目二期建成達產,三安光電在SiC技術和產能方面有望再上一個臺階。(集邦化合物半導體Zac整理)

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