總投資10億,國博射頻二期項目預計2026年投產

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 29 日 18:00 | 分類 企業

近日,江蘇南京江寧開發區總投資10億元的國博射頻集成電路產業化二期項目正在進行地下室主體結構施工,預計明年7月份主體封頂,2026年正式投產。

圖片來源:拍信網正版圖庫

據悉,國博射頻集成電路產業化項目由南京國博電子有限公司投資建設,占地面積約203畝,總投資30億元,新建廠房及附屬設施,新增設備五百余臺套。項目分兩期建設,其中一期用地面積約103畝,建筑面積約15.1萬平方米;二期用地面積約100畝,建筑面積約7.6萬平方米。

上述一期項目投資額20億元,中試廠房、芯片廠房、模塊廠房等設施已于2023年竣工投產;二期項目將重點補充射頻集成電路封測制造能力,建成后與一期形成射頻集成電路規?;O計、制造能力,打造成為寬禁帶半導體器件及模塊供應商、5G通信技術國內發展先行者。

據中國電子科技集團公司第五十五研究所發布的信息顯示,國博電子是其下屬控股公司,專業從事集成電路、射頻微波模塊及子系統研發、生產和銷售,具有30多年射頻微波集成電路、模塊產品開發和生產經驗。公司產品性能達到國際先進水平,廣泛應用于移動通信、微波毫米波通信、衛星通信等系統,打破了國外的技術壟斷。

2018年,國博電子在南京江寧開發區啟動了上述“射頻集成電路產業化”建設項目,建成后,將形成年產化合物半導體原片6萬片、射頻基礎電路5億只、射頻模塊1000萬只的設計制造能力,滿足5G及未來移動通信基站和終端市場需求。

此前有媒體報道稱,上述“年產化合物半導體原片6萬片”,為“6英寸工藝氮化鎵(GaN)射頻功率器件制造”。

2019年,國博電子曾表示,公司在基站和終端的小信號產品以及中功率產品方面都實現了批量化量產,目前正在進入的領域主要有GaN大功率器件,以及毫米波基站多通道硅基相控陣芯片以及III-V族毫米波射頻收發前端芯片。

值得一提的是,江寧開發區是國內較早布局第三代半導體產業的開發園區,2023年全年,園區新引進英諾賽科、博銳半導體、芯干線等一批產業項目。(集邦化合物半導體Zac整理)

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