積塔半導體牽手安建半導體,共推溝槽型SiC器件開發

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 30 日 18:10 | 分類 企業

在與英飛凌、MPS、SemTech、Nexperia、斯達半導體、上海韋矽微、比亞迪半導體、上海貝嶺等國內外知名企業牽手后,積塔半導體合作伙伴陣營近日再次擴容。

圖片來源:拍信網正版圖庫

2023年12月28日,“中國半導體教父”、現任積塔半導體執行董事張汝京博士、積塔半導體總經理周華博士一行到訪寧波安建半導體有限公司(以下簡稱安建半導體)。張汝京等一行參觀了安建半導體模塊產線,了解了安建的模塊產品類型、下游客戶和出貨產能情況。雙方就安建半導體在積塔的產品需求和后續產品開發項目進行了探討和總結,并對以下合作達成一致:加速完成安建在積塔代工的平面型碳化硅(SiC)MOS器件開發,并攜手邁進新一代溝槽型SiC MOS器件開發;馬上啟動基于8英寸薄片和氫注入工藝的高端FRD產品開發。

在SiC器件方面,積塔半導體早在2020年就布局了業內領先的6英寸SiC產線,目前已覆蓋JBS和MOSFET等,建成了自主知識產權的車規級650V/750V/1200V SiC JBS工藝平臺和650V/750V/1200V SiC MOSFET工藝平臺。

2022年,積塔半導體明確在上海臨港投資二期項目,新增固定資產投資預計超過260億元。二期項目建成后,積塔半導體的產能將得到較大提升,實現功率器件、模擬IC、MCU產品等汽車芯片量產,預計在2025年將達到30萬片8英寸等效晶圓的產能。

此次與積塔半導體就SiC器件開發達成合作的安建半導體,在業內也有一定的實力。成立于2021年7月的安建半導體,是一家半導體功率器件廠商。成立不到三年時間,安建半導體已完成3輪融資,其中包括2022年3月的1.8億人民幣B輪融資。

具體來看,安建半導體B輪融資的投資方包括超越摩爾投資、弘鼎資本、龍鼎投資、聯和資本、君盛投資、金建誠投資、萬有引力資本等眾多機構,募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產品開發、SiC器件開發和IGBT模塊封測廠建設。

從本次合作情況來看,雙方開發項目將由平面型SiC MOS器件轉向溝槽型SiC MOS器件,或與溝槽型SiC MOS器件優勢有關。

據悉,量產溝槽型SiC MOS器件的廠商普遍認為,相比平面型結構,溝槽型SiC MOS在成本和性能方面都具有較強優勢。羅姆是率先轉向溝槽型SiC MOS的公司,而英飛凌并沒有選擇進入平面結構市場,而是直接選擇了溝槽結構,此外,電裝的溝槽型SiC MOS也已正式商用。(集邦化合物半導體Zac整理)

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