南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目正式備案

作者 | 發布日期 2024 年 01 月 31 日 17:34 | 分類 企業

盡管目前市場上碳化硅(SiC)襯底供應仍然以6英寸為主,8英寸尚未大規模普及,但國內SiC襯底頭部廠商普遍都在積極進軍8英寸。近日,又有一家知名廠商旗下8英寸SiC襯底項目迎來新進展。

圖片來源:拍信網正版圖庫

1月30日,山東中晶芯源半導體科技有限公司(以下簡稱中晶芯源)8英寸SiC單晶和襯底產業化項目正式備案。據悉,該項目于2023年6月12日落地山東濟南,計劃在2025年滿產達產,成立于2023年5月的中晶芯源是該項目的主建方。

股東信息顯示,中晶芯源由廣州南砂晶圓半導體技術有限公司(以下簡稱南砂晶圓)全資控股,后者成立于2018年8月,從事SiC單晶材料研發、生產和銷售,產品主要以6英寸半絕緣和N型SiC襯底為主。

近年來,在8英寸SiC襯底熱度持續上漲趨勢下,南砂晶圓積極投身8英寸賽道。2022年9月8日,南砂晶圓聯合山東大學成功實現8英寸導電型4H-SiC單晶和襯底的制備,采用物理氣相傳輸法(PVT)擴徑制備了8英寸導電型4H-SiC單晶,并加工成厚度520μm的8英寸4H-SiC襯底。

據介紹,經測試表征,上述襯底微管密度小于0.3/cm2,4H-SiC晶型比例100%,電阻率平均值22mΩ·cm,不均勻性小于4%,襯底(004)面高分辨XRD 5點搖擺曲線半峰寬平均值32.7弧秒,說明襯底具有良好的結晶質量,邊緣擴徑區域沒有小角度晶界缺陷。

技術突破也在一定程度上助推南砂晶圓成為資本市場重點關注對象,過去兩年多時間,南砂晶圓已相繼完成5輪融資,包括今年1月剛剛完成的C輪融資,投資方包括華民基金、天堂硅谷、華訊方舟基金、揚子江基金、魯信創投等機構。

項目方面,南砂晶圓還在廣州南沙區布局了SiC項目,總投資9億元,該項目2023年4月已經試投產,達產后年產各類襯底片和外延片共20萬片。

項目備案意味著南砂晶圓8英寸SiC單晶和襯底項目正式啟動,隨著項目建成達產,將有利于南砂晶圓未來在SiC襯底全面轉型8英寸后搶占先機。(集邦化合物半導體Zac整理)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關注微信公眾賬號:集邦化合物半導體。