重慶三安半導體SiC襯底項目B1棟封頂

作者 | 發布日期 2024 年 02 月 02 日 18:00 | 分類 企業

近日,重慶三安半導體碳化硅(SiC)襯底項目B1棟順利封頂。此項目總體分為兩個項目標段,總面積約5.8萬㎡,項目于2023年11月15日正式進場施工。

圖片來源:拍信網正版圖庫

其中,重慶三安半導體SiC襯底項目(生活服務設施區)總建筑面積為2.08萬㎡,包括B1、B2棟、B3棟和B4棟等建筑。安意法半導體8英寸SiC外延、芯片項目(生活服務設施區)總建筑面積為3.7萬㎡,包括A1棟、A2棟、A3棟、A4棟和C1棟等建筑。

在B1棟順利封頂后,該項目B2、B4、C1三棟也將在年前陸續封頂,項目整體將在2024年7月前實現全部交付,合同工期僅為8個月。

據悉,該項目業主方為重慶三安半導體有限責任公司和安意法半導體有限公司,這兩家公司均為湖南三安為推進與意法半導體的SiC合資項目而在2023年設立的子公司。

2023年6月,意法半導體官宣將與三安光電成立一家合資制造廠,進行8英寸SiC器件大規模量產。該合資廠全部建設總額預計約32億美元(約230億人民幣),占地462畝,總建筑面積26.5萬平方米,采取一次建設分期投產方式,規劃達產年生產能力為8英寸SiC車規級MOSFET功率芯片48萬片。項目在取得各項手續批復后開始建設,預計2025年完成階段性建設并逐步投產,2028年達產。

意法半導體官網資料顯示,該合資廠將采用意法半導體SiC專利制造工藝技術,專注于為意法半導體生產SiC器件。三安光電也披露,該工廠制造的SiC外延、芯片將獨家銷售給意法半導體或其指定的任何實體。

為主導該合資項目實施,湖南三安半導體有限責任公司和意法半導體(中國)投資有限公司于2023年8月共同出資成立安意法半導體有限公司,注冊資金6.12億美元,雙方持股比例分別為51%、49%。

為滿足該合資廠的襯底需求,三安光電也將利用自有SiC襯底工藝,單獨建造和運營一個新的8英寸SiC襯底制造廠,規劃總投資70億人民幣,占地276畝,采取一次建設分期投產方式,規劃達產年生產能力為8英寸SiC襯底48萬片,合資公司將與湖南三安簽訂長期SiC襯底供應協議。

為推進SiC襯底制造廠項目實施,湖南三安半導體有限責任公司于2023年7月全資設立重慶三安半導體有限責任公司,注冊資本18億人民幣。(集邦化合物半導體Zac整理)

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