國內氧化鎵公司晶旭半導體獲億元投資

作者 | 發布日期 2024 年 02 月 04 日 18:10 | 分類 企業

2月3日, 睿悅投資官微發文稱,睿悅投資與福建晶旭半導體科技有限公司(下文簡稱“晶旭半導體”)簽署戰略投資協議。

據悉,此次睿悅投資作為晶旭半導體的獨家戰略投資人,對晶旭半導體戰略投資億元人民幣,助力其實現年產75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片的落成達產。

公開資料顯示,福建晶旭半導體科技有限公司致力于氧化鎵基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片的研發生產和服務,具備氧化鎵半導體外延裝備、工藝及芯片自主開發的能力。公司擁有多項化合物單晶薄膜材料核心專利,特別在5G核心器件:射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上,處于國際領先地位,是目前國際上唯一一家具備氧化鎵基BAW濾波器芯片自主量產交付能力的企業,產品主要應用于5G移動設備、網絡基礎設施、WIFI和GF市場等領域。

睿悅投資指出,晶旭半導體近期計劃總投資16億元,進一步向第四代超寬禁帶半導體氧化鎵材料及芯片產業升級發展。

企查查顯示,晶旭半導體目前有三個項目處于備案之中,其中2英寸化合物半導體芯片生產項目的相關審批于去年12月28日獲批通過。

在第四代半導體氧化鎵這一領域,除了屢屢有消息傳來的日本和中國外,美國也有開展了相應動作。

2月2日,美國阿肯色大學教授獲得美國美國國家科學基金會30萬美元資助,用于研究基于氧化鎵的電動汽車牽引逆變器。他的項目針對研究氧化鎵封裝功率模塊的集成,以提高電動汽車 (EV) 的功率密度和溫度范圍。

該項目與國家可再生能源實驗室(NREL)合作,旨在創新功率模塊封裝,為氧化鎵功率器件建立可靠的準則,并展示高密度、高溫牽引逆變器的功能。

“氧化鎵可以使牽引逆變器更小、更輕、更高效,并且能夠在更廣泛的溫度范圍內運行,”宋指出。 “與傳統的硅和寬帶隙半導體相比,氧化鎵具有更大的帶隙能量。它具有高擊穿電氣強度、低本征載流子濃度以及相應的高工作溫度,”他補充道。

他相信,該項目的成功將為氧化鎵器件建模、封裝、柵極驅動、保護和電源轉換器應用提供寶貴的見解。預計這將促進交通電氣化的進步以及在充滿挑戰的環境中實現對氧化鎵技術的部署。

文:集邦化合物半導體Morty整理

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