直擊深圳國際半導體展:30+三代半廠商亮相

作者 | 發布日期 2023 年 08 月 04 日 16:21 | 分類 展會

5月16日,為期三天的SEMI-e第五屆深圳國際半導體技術暨應用展覽會在深圳國際會展中心(寶安新館)盛大開幕。

本屆展會以“芯機會 智未來〞為主題,涵蓋6大特色展區,包括電子元器件、IC設計&芯片、晶圓制造及封裝、半導體設備、半導體材料、第三代半導體,為各領域的行業人士提供了交流技術以及分享產業最新發展趨勢的平臺。

據TrendForce集邦咨詢化合物半導體研究中心了解到,此次展會,天域半導體、瀚天天成、爍科晶體、普興電子、Aixtron、鎵未來、納設智能、能華微、聚能創芯&聚能晶源、百識電子、晟光硅研、恒普科技、氮矽科技、漢驊半導體等業內領先企業在會上展示了以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為核心的最新研發成果和先進技術,面向工業、能源、汽車和消費電子等領域。

天域半導體

此次展會現場,天域半導體重點展示了4/6英寸SiC外延片產品,及其子公司南方半導體的SiC功率器件/模塊產品。

天域半導體是全球SiC外延片的主要生產商之一,以先進的SiC外延生長技術為客戶提供優良產品和服務,并持續加碼大尺寸SiC外延生長技術研發,積極布局8英寸SiC產線。南方半導體則專注于半導體元器件及解決方案,涵蓋了功率半導體集成電路、晶體、芯片及檢測中心等眾多領域。

爍科晶體

作為國內SiC襯底領先廠商,爍科晶體此次重磅展示了6/8英寸的導電N型和半絕緣型SiC襯底。

爍科晶體在國內率先突破8英寸導電N型SiC單晶襯底制備工藝技術,并已實現小批量銷售。目前公司已通過自主創新和自主研發全面掌握了SiC生長裝備制造、高純SiC粉料制備工藝,導電N型和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝,形成了SiC粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產線。

普興電子

本次展會上,與爍科晶體同屬于中電科半導體材料旗下的普興電子展示了最新的6/8英寸SiC外延片產品。

普興電子致力于高性能Si/SiC半導體材料的外延研發和生產,是國內最大的Si外延材料供應商之一。在SiC方面,普興電子正在規劃年產36萬片6英寸SiC外延產品的生產項目,助力我國在新能源汽車領域的發展。

鎵未來

鎵未來本次展出了最新的高壓D-mode GaN功率器件以及系列應用方案。在眾多產品中,鎵未來特別展示了用于高效率高功率密度數據中心服務器電源解決方案的TOLL封裝GaN器件,TOLL封裝氮化鎵器件轉換效率高,助力能源利用的可持續發展。

在解決方案方面,其主要展示了65W、140W PD快充方案,200W小體積適配器方案,以及700W無橋圖騰柱高效率LED驅動電源方案。

瀚天天成

作為全球知名的SiC外延片生產商,瀚天天成在本次展會中主要展示了6/8英寸SiC外延片產品。

瀚天天成當前已實現600V~3300V SiC功率器件車規級外延片的批量生產,全球用戶已超過140家。瀚天天成與廈門大學等單位產學研合作,成功實現基于國產襯底的8英寸SiC同質外延生長。

AIXTRON

AIXTRON在本次展會上推出了G10-SiC 外延系統,大量被業內頂級客戶用于6/8英寸SiC晶圓外延材料生長。

AIXTRON是半導體產業領先的沉積設備供應商,其產品在全球范圍內被廣泛的客戶用于生產基于化合物或有機半導體材料的電子和光電應用的高性能組件。

這些器件主要用于各種創新應用、技術和行業,例如LED和顯示技術、數據傳輸、傳感器技術、能源管理和轉換,通信,信號和照明技術以及許多其他要求苛刻的高科技應用。

納設智能

納設智能在展會上向觀眾介紹了自主研發生產的SiC外延設備。

納設智能致力于SiC外延設備、石墨烯等先進材料制造裝備的研發、生產、銷售和應用推廣,公司自有SiC外延設備具有工藝指標優異、耗材成本低、維護頻率低等特點,產品從一代機更新到二代機,穩定性、可靠性大幅度的提升,目前二代機型已經在批量生產與交付。

能華半導體

能華半導體本次展示了基于自身CoreGaN方案的產品布局。根據PD快充方案電路的特點,CoreGaN產品提高了閾值電壓,相比市場上已有的增強型器件有更優的性能和可靠性。

能華半導體是一家專業設計、生產和銷售以GaN為代表的化合物半導體高性能晶圓、器件的高新技術企業。該公司GaN產品線涵蓋外延片、功率場效應管、集成功率器件以及芯片代工等。公司產品技術參數在行業中處于領先地位,各類產品已實現規?;a,并擁有一批國內外知名客戶。

恒普科技

恒普科技提供SiC相關的設備及材料解決方案,包括感應式/電阻加熱式長晶設備與6英寸外延設備。材料方面提供碳化鉭涂層服務以及多孔石墨等長晶耗材。

恒普科技本次在現場展示了多孔石墨,碳化鉭涂層,與實驗晶錠。

聚能創芯&聚能晶源

本次展會上,聚能創芯&聚能晶源聯合展示了8英寸硅基氮化鎵外延片、GaN功率器件及相應的GaN應用方案,為目前需求旺盛的GaN快充領域提供了高性能、高性價比的純國產GaN材料、器件與應用技術解決方案。

聚能創芯和聚能晶源為賽微電子旗下子公司,旨在聯合打造全球領先的從設計、外延,到芯片制造和器件應用的GaN功率器件IDM企業。

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本次展會上,??瓢雽w展示了自有高品質6英寸SiC外延片。該公司憑借業內先進的高品質量產工藝和最先進的測試設備,為客戶提供低缺陷率和高均勻性要求的6英寸導電型SiC外延片,目前已對十余個業內標桿客戶完成送樣并實現了采購訂單。

漢驊半導體

本次展會中,漢驊半導體推出了多系列硅基/藍寶石基GaN外延片方案,應用于功率電力電子、微波射頻與LED。

漢驊半導體致力于化合物半導體核心材料的研發及產業化,其獨有的硅基/藍寶石基紅、綠、藍全色氮化鎵外延技術,可廣泛應用于新一代高端顯示領域,可在晶圓層實現硅基集成電路與III-V化合物半導體器件的高密度常溫混合集成。另外,硅基氮化鎵電力電子外延產品覆蓋了增強型外延和耗盡型外延全應用領域,適用于30伏至900伏。

百識電子

百識電子在本次展會上重點展示了6英寸SiC外延片以及6/8英寸硅基GaN外延片。

百識電子是在南京設立研發總部和制造工廠的專業團隊,其可提供4/6英寸的SiC外延片服務,以及6/8英寸的硅基氮化鎵和4/6英寸的碳化硅基氮化鎵外延片服務。除了標準規格外延片,百識電子亦可針對特殊應用市場需求,提供客制化規格外延服務及器件開發所需的關鍵制程。

森國科

森國科此次展示了650/1200V SiC二極管以及1200V SiC MOSFET產品。

森國科主要從事功率器件、模塊,功率IC產品的研發,其功率器件產品主要包括碳化硅二極管、MOSFET,功率芯片主要包括功率器件驅動芯片、無刷電機驅動芯片兩大類。

合盛新材料

本次展會上,合盛新材料向觀眾介紹了6英寸SiC晶錠、襯底、外延片的解決方案,目前該公司正在寧波建設6英寸導電型SiC襯底與外延片產線,已實現投資規模超過10億元。

平創半導體

平創半導體深耕電力電子半導體行業,本次攜多種功率器件產品亮相展會。SiC產品方面,主要展出了650V~1200V SiC二極管、MOSFET以及功率模塊,產品與技術已被廣泛應用于新能源汽車、高端白色家電、充電樁、光伏、儲能等領域。

譽鴻錦

譽鴻錦本次展出了GaN材料外延、功率電子器件、光電器件等系列產品。

該公司業務涵蓋GaN材料外延到芯片模組的全產業鏈研發生產能力,主要產品有高性能肖特基二極管(SBD)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、射頻/功率放大器(RF PA)、深紫外發光二極管(UVC-LED)等,這些產品廣泛用于新能源汽車、數據中心、超算中心、5G通訊及殺菌消毒等領域。

宇騰電子

宇騰電子在本次展會上向觀眾介紹了GaN外延產品,該公司目前可提供6/8英寸硅基氮化鎵外延片、4/6/8英寸碳化硅基氮化鎵外延片、4/6英寸藍寶石基氮化鎵外延片等通用規格及客制化規格,公司在HEMT結構的外延技術可提供D-mode和E-mode兩種工藝,同時支持功率和射頻領域的應用。

晟光硅研

本次展會上,晟光硅研帶來了“微射流激光先進技術”最新應用成果,該技術已經成功完成6英寸SiC晶錠的切割,可實現高效率、高質量、低成本、低損傷、高良品率SiC單晶襯底制備,吸引業界所關注。

氮矽科技

氮矽科技向觀眾介紹了其獨特的GaN開關管、驅動芯片以及快充方案。

該公司擁有來自成都矽能科技和核心技術合作伙伴“電子科技大學功率集成技術實驗室”的全力支持,目前已推出多款合封氮化鎵產品即PIIPTMGaN。Multi-die封裝集成具有高可靠性、低寄生參數、占板面積小、布局靈活等特點,并且提供多種封裝,供客戶選擇。

英嘉通

英嘉通在本次展會上推出了GaN、SiC功率器件系列產品。

該公司著力于D-mode/Cascode GaN器件設計,目前已推出多款成熟的650V GaN功率產品,器件成本競爭優勢明顯,技術種類齊備,已經得到市場廣泛的認可,為不同的功率應用場景提供最簡單、經濟、高效的解決方案。同時,其SiC SBD、MOSFET 全系列產品于2022年進入市場,全國產的產業鏈以及自主可控的器件、工藝技術,大幅降低器件成本。

結語

除了以上廠商外,錸微半導體等第三代半導體廠商亦有相關產品展出等,同時有優晶光電、頂立科技、嵐鯨光電、漢虹精密機械、中科漢達等廠商展示了SiC生長設備、輔助材料等產品。(文:集邦化合物半導體 Matt)

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