揚杰科技寬禁帶半導體研發中心落地

作者 | 發布日期 2023 年 06 月 12 日 15:50 | 分類 碳化硅SiC

6月6日,在東南大學建校121周年紀念日上,揚杰科技宣布與東南大學簽署合作協議,組建“東南大學—揚杰科技寬禁帶功率器件技術聯合研發中心”。

基于此研發中心,雙方將在功率半導體領域(尤其是寬禁帶功率器件領域)進行深層次合作,開發世界級水平、具有自主知識產權的、符合市場與應用需求的功率半導體芯片,包括發展戰略研究、硅基功率器件設計、寬禁帶功率器件設計等項目的開展,加速功率半導體芯片設計及應用等研究成果的產業化。

01、揚杰科技深耕功率半導體

除了此次與東南大學共建研發中心之外,揚杰科技近期還表示,因公司戰略發展需要,計劃與揚州市邗江區人民政府簽署了《6英寸碳化硅晶圓項目進園框架合同》,擬投資新建6英寸碳化硅晶圓生產線項目,總投資約10億元。

該項目分兩期實施建設,項目全部建成投產后,形成碳化硅6英寸晶圓產能5000片/月。項目位于揚州市邗江區汽車產業園新甘泉東路 56 號。項目新建廠房 27,000 平方米,其中高潔凈車間(光刻區十級、操作區百級)的凈化裝修預計在 4,500 平方米。

此外,在去年6月,揚杰科技以2.95億元收購中電科四十八所持有的楚微半導體40%股權,標的主要布局中高端功率器件。

今年2月,揚杰科技又以2.94億元收購楚微半導體30%股權,若收購成功,楚微半導體將成為揚杰科技的子公司。

詳細來看,楚微半導體主要在8英寸生產工藝平臺生產及銷售半導體功率器件芯片,產品主要包括高、中、低壓溝槽式MOSFET芯片和溝槽式光伏二極管芯片等,后續將向SiC碳化硅芯片等產品拓展。

02、東南大學加速科研成果產業化

而東南大學方面,在近幾年來一支在加速科研技術成果的落地,與揚杰科技成立研發中心是眾多落地項目之一。目前東南大學與不同企業共建來了25個校企聯合研發中心。在第三代半導體領域,東南大學還與紫金山實驗室、南京第三代半導體技術創新中心有限公司。

值得一提的是,去年12月,東南大學有兩項研究成果發表在電子器件領域頂會IEDM。第一項成果題為“41% Reduction In Power Stage Area On Silicon-On-Insulator Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT Platform With Newly Developed Multiple Deep-Oxide Trench Technology”,東南大學副研究員張龍、博士生馬杰為論文共同一作。

報道了一種具有多深度氧化溝槽(MDOT)的SOI基Bipolar-CMOS-DMOS-IGBT技術(圖1),集成了550V高壓LIGBT、LDMOS、FWD及中低壓CMOS、BJT等器件,實現了高低壓隔離、高壓互連線屏蔽以及器件漂移區的大幅縮短。采用MDOT技術能夠將單片集成智能功率芯片中的功率級面積縮小約41%。

(來源:東大電子)

第二項成果題為“Hybrid Gate p-GaN Power HEMTs Technology for EnhancedVth Stability”,東南大學博士生張弛為論文第一作者。

報道了一種提高第三代功率半導體p-GaN HEMT器件閾值電壓穩定性的技術——p-GaN柵極混合接觸勢壘技術(圖2),利用勢壘較低的局部歐姆接觸形成的“電荷泄放”路徑,有效抑制了傳統p-GaN HEMT中存在的“電荷存儲”效應,在維持器件低柵漏電特性的前提下增強了器件閾值穩定性。

該技術使得器件在200V、400V反偏應力下閾值電壓漂移量分別為0.07V與0.09V;在重復非鉗位感性負載應力沖擊下,閾值電壓漂移量僅為0.03V。

(來源:東大電子)

文:集邦化合物半導體 Jump整理

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