8英寸SiC領域又一強強聯合!

作者 | 發布日期 2023 年 12 月 18 日 17:32 | 分類 碳化硅SiC

據報道,近日,新加坡科學技術研究局 (A * STAR) 下屬研究機構微電子研究所 (IME) 與德國擴散及退火設備供應商centrotherm International AG就8英寸SiC技術達成合作,IME的8英寸開放式R&D SiC試產線將與centrotherm的擴散及退火設備相結合,為SiC材料制備環節提供解決方案。

雙方共同研發的集成式SiC MOSFET技術解決方案(來源:A*STAR 及centrotherm)

業界熟知,SiC擁有高能效、高功率、耐高壓等特性,已成為電動汽車、軌道交通、數據中心及電網等高壓高功率應用領域的理想材料,市場需求呈現不斷增長的趨勢。但SiC產品和技術目前尚未大規模商用化應用,處于供不應求的階段,而量產的其中一個主要障礙便是SiC襯底環節,該環節現階段仍存在較多缺陷問題,迫切需要突破各項瓶頸。

在此背景下,IME與centrotherm旨在結合IME的工藝集成和器件特性描述能力以及centrotherm的專業設備,共同開發用于制造SiC器件的熱處理技術,譬如,優化溝槽和柵氧化物形成,借此增強SiC MOSFET、SiC二極管等器件的性能和可靠性。

據了解,IME成立于1991年,立足于全球半導體產業,目前聚焦先進封裝、piezoMEMS、SiC/GaN、毫米微波、光學傳感器等領域的研發工作。

在SiC領域,IME近年來已陸續與材料廠商Soitec、東麗及ST意法半導體等SiC主要玩家達成戰略合作關系,持續發力8英寸SiC材料技術,瞄準高功率應用市場的機會。

而centrotherm擁有70多年的歷史,熱處理和涂層技術是該公司的核心競爭力,其設備的應用場景覆蓋晶圓制造、功率半導體、MEMS、光電、光伏、光纖制造等。隨著公司朝向SiC等功率半導體領域發展,centrotherm下一步計劃進一步增強寬禁帶半導體工藝模塊的擴散和退火工藝專業性,并將專業知識拓展至SiC/GaN及其他創新性寬禁帶半導體材料領域。

作為本次合作的一部分,centrotherm將在新加坡組件一支專業的技術團隊,為IME提供技術know-how,工藝配方和現場支持。

IME認為,公司的8英寸SiC試產線與centrotherm的先進設備相結合,有利于兩家公司加快技術和產品研發的步伐,更好地應對市場需求。(文:集邦化合物半導體Jenny)

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