三安光電公布6英寸SiC最新產能規劃

作者 | 發布日期 2023 年 12 月 26 日 17:43 | 分類 碳化硅SiC

12月25日,三安光電在互動平臺表示,截至2023年上半年末,公司6英寸碳化硅(SiC)產能為1.5萬片/月,預計2023年末至2024年初,產能規劃擴產至1.8萬-2萬片/月。三安光電稱,公司8英寸SiC產品已進行了小批量試生產,襯底產品良率水平居國內前列且穩步提升。

據悉,湖南三安主導三安光電旗下SiC/GaN電力電子業務,具體以SiC為主,GaN目前占比較小。

早在2020年7月,總投資達160億元、占地面積達1000畝的湖南三安半導體項目正式開工。湖南三安半導體主要建設具有自主知識產權的襯底(SiC)、外延、芯片及封裝產業生產基地,形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的SiC全產業鏈。項目建成達產后,將形成約36萬片/年的產能。
上半年,得益于SiC市場需求強勁,湖南三安整體業績保持增長趨勢,實現營收5.82億元,同比增長178.86%;凈利潤為3.32億元,同比增長266.99%。

為推進湖南三安的業務發展,今年8月,三安光電決定以自有資金10億元對湖南三安增資,后者注冊資本由20億元增加到30億元。

8英寸方面,湖南三安進展較快。今年6月,湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發8英寸SiC襯底,正式切入8英寸襯底領域;今年10月,湖南三安披露,8英寸SiC襯底已完成開發,并進入小批量生產及送樣階段;近期,湖南三安將重點放在良率提升上,通過設備調試與工藝優化,推進量產進程。

與此同時,湖南三安與意法半導體合資成立的三安意法半導體(重慶)有限公司承建的8英寸SiC器件廠項目已獲批通過,預計將于2025年完成階段性建設并投產,2028年進入達產階段。為保障該項目順利實施,三安光電擬在重慶獨資設立子公司生產SiC襯底作為配套,預計投資總額70億元。

近年來,國內SiC廠商在擴產方面動作頻頻。襯底方面,例如:天岳先進擬投資20億元用于募投項目SiC半導體材料項目,達產后將新增產能約30萬片/年;露笑科技2022年7月完成25.67億元增發用于推進SiC項目,項目完成后將形成年產24萬片6英寸導電型SiC襯底片的產能。

器件方面,例如:士蘭微正在推進定增事項,其中7.5億元用于SiC功率器件生產線建設項目,達產后將新增年產14.4萬片SiC MOSFET/SBD芯片的產能;振華科技也正在推進定增事項,其中包括建設一條12萬片/年產能的6英寸Si/SiC基功率器件制造線。(集邦化合物半導體Zac整理)

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